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参数目录40382
> DMG1026UV-7 MOSFET DL N-CH 60V 410MA SOT-563
型号:
DMG1026UV-7
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
Diodes Inc
描述:
MOSFET DL N-CH 60V 410MA SOT-563
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 阵列
DMG1026UV-7 PDF
标准包装
1
系列
-
FET 型
2 个 N 沟道(双)
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
410mA
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
1.8 欧姆 @ 500mA,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
1.8V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
0.45nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
32pF @ 25V
功率 - 最大
580mW
安装类型
表面贴装
封装/外壳
SOT-563,SOT-666
供应商设备封装
SOT-563
包装
标准包装
其它名称
DMG1026UV-7DIDKR
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